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ME-210-T膜厚測(cè)量儀
ME-210-T膜厚測(cè)量儀為一種光學(xué)系膜厚測(cè)量裝置,這個(gè)裝置的特點(diǎn)是可以高精度測(cè)量1nm一下的極薄膜,也適合測(cè)量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡埽酝募夹g(shù)是無法測(cè)量0.5mm厚的玻璃基板,在這項(xiàng)技術(shù)下,可進(jìn)行極薄膜的高精度測(cè)量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評(píng)估,也可運(yùn)用ME-210-T輕松達(dá)成。
ME-210-T膜厚測(cè)量儀適用透明基板的高速M(fèi)apping橢偏儀,可測(cè)量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。
橢偏儀為一種光學(xué)系膜厚測(cè)量裝置,膜厚測(cè)量儀這個(gè)裝置的特點(diǎn)是可以高精度測(cè)量1nm一下的極薄膜,也適合測(cè)量玻璃等透明基板上的薄膜。
ME-210-T膜厚測(cè)量儀用了本公司*的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡?,以往的技術(shù)是無法測(cè)量0.5mm厚的玻璃基板,在這項(xiàng)技術(shù)下,可進(jìn)行極薄膜的高精度測(cè)量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評(píng)估,也可運(yùn)用ME-210-T輕松達(dá)成。
ME-210-T的高精度膜厚分布資料,定會(huì)對(duì)先進(jìn)的薄膜產(chǎn)品的生產(chǎn)有的用途。
特點(diǎn)
1,高效的測(cè)量速度(每分約1000點(diǎn):)可短時(shí)間內(nèi)取得高密度的面分布數(shù)據(jù)。
2,微小領(lǐng)域量測(cè)(20un左右)可簡單鎖定&測(cè)量任一微小區(qū)域。
3,可測(cè)量透明基板
適用于解析玻璃基板上的極薄膜。
測(cè)量實(shí)例
涂布膜邊緣擴(kuò)大測(cè)量
可階段性擴(kuò)大微小領(lǐng)域,然后獲得詳細(xì)的膜厚分布數(shù)據(jù)。
GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測(cè)量
縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡單評(píng)估、比較其分布狀況。
設(shè)備參數(shù)
項(xiàng)目 | 規(guī)格 |
光源 | 半導(dǎo)體激光(636nm、class2) |
小測(cè)量領(lǐng)域 | 廣域模式:0.5mm×0.5mm |
高精細(xì)模式:5.5um×5.5um | |
入射角 | 70『deg』 |
測(cè)量再現(xiàn)性 | 膜厚:0.1nm 折射率:0.001 ※1 |
大測(cè)量速度 | 1000point/min(廣域模式) |
5000point/min(高精密模式) | |
載物臺(tái) | 行程:XY200mm以上 大移動(dòng)速度:約40mm/scc |
尺寸/重量 | 約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg |
電源 | AC100V |
備注 | ※1:此數(shù)值是以廣域模式測(cè)量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點(diǎn),重復(fù)測(cè)量100次后的標(biāo)準(zhǔn)偏差值 |