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晶圓應(yīng)力雙折射測(cè)量?jī)x
晶圓應(yīng)力雙折射測(cè)量?jī)xPA-110-T,Z大可測(cè)8英寸Wafer、藍(lán)寶石、SiC晶圓等結(jié)晶缺陷的評(píng)估,藍(lán)寶石或SiC等透明晶圓的結(jié)晶缺陷,會(huì)直接影響到產(chǎn)品的性能,所以缺陷的檢測(cè)和管理是制造過(guò)程中不可欠缺的重要環(huán)節(jié),目前為止,產(chǎn)線上的缺陷管理,多是使用偏光片以目視方式進(jìn)行缺陷檢測(cè),但是這樣的檢查方式,因無(wú)法將缺陷量化,當(dāng)各批量間產(chǎn)生變動(dòng)或者缺陷密度緩慢增加時(shí),就無(wú)法以目視檢查的方式正確找出缺陷。
晶圓應(yīng)力雙折射測(cè)量?jī)x可測(cè)8英寸Wafer、藍(lán)寶石、SiC晶圓等結(jié)晶缺陷的評(píng)估 藍(lán)寶石或SiC等透明晶圓的結(jié)晶缺陷,會(huì)直接影響到產(chǎn)品的性能,所以缺陷的檢測(cè)和管理,是制造過(guò)程中不可欠缺的重要環(huán)節(jié)。目前為止,產(chǎn)線上的缺陷管理,多是使用偏光片,以目視方式進(jìn)行缺陷檢測(cè),但是,這樣的檢查方式,因無(wú)法將缺陷量化,當(dāng)各批量間產(chǎn)生變動(dòng)或者缺陷密度緩慢增加時(shí),就無(wú)法以目視檢查的方式正確找出缺陷。
晶圓應(yīng)力雙折射測(cè)量?jī)xPA-110-T將特殊的高速偏光感應(yīng)器與XY stage 結(jié)合起來(lái), 8英寸晶圓僅需5分鐘,即可取得整面的雙折射分布資料。
所以由定量化的結(jié)晶缺陷評(píng)估,提高雙折射品質(zhì)的穩(wěn)定性。
Wafer整面的雙折射數(shù)據(jù),可將結(jié)晶缺陷程度數(shù)值化。
特點(diǎn):
1,XY自動(dòng)Stage 拼貼功能
針對(duì)大尺寸的Wafer 數(shù)據(jù),以拼貼方式自動(dòng)合成。
2,使用大口徑遠(yuǎn)心鏡頭
以垂直光線進(jìn)行測(cè)量,因不受視角影響,連周邊區(qū)域都可高精度測(cè)量。
測(cè)量原理
當(dāng)光線穿透雙折射特性的透明物質(zhì)時(shí),光的偏光狀態(tài)會(huì)產(chǎn)生變化(光彈性效應(yīng))。換句話說(shuō),比較光穿透透明物體前與后的偏光狀態(tài),即可評(píng)估物質(zhì)的雙折射。
該設(shè)備裝配的偏光感應(yīng)器,使用了本司*的Photonic結(jié)晶組裝而成, 能瞬間將偏光信息以影像方式保存,再搭配專屬的演算,影像處理軟件,能將雙折射分布數(shù)據(jù)定量化,使得分析變得更加便利。
可觀察的晶圓尺寸與貼合影響。
自動(dòng)影響貼合功能,可觀察8英寸Wafer。
φ 8 inch(4×5)
PA-110-T 規(guī)格:
項(xiàng)目 | 規(guī)格 |
測(cè)量范圍 | 0~130nm |
重復(fù)精度 | <1nm |
偏光像素 | 1120×868pixels |
測(cè)量波長(zhǎng) | 520nm |
尺寸 | 如下圖 |
電源 | AC100~240v 50/60HZ |
軟件 | PA-110-Rasterscan, PA-View |
其他配件 | 臺(tái)式電腦 |